目前常用的拋光方法有以下幾種：
1)機(jī)械拋光
機(jī)械拋光靠切削、材料表面塑性變形去掉被拋光后的凸部而得到平滑面的拋光方法，一般使用油石條、羊毛輪、砂紙等，以手工操作為主，特-殊0件如回轉(zhuǎn)體表面，可使用轉(zhuǎn)臺等輔-助工具，表面質(zhì)量 要求高的可采用chao精研拋的方法。chao精研拋是采用特-制的磨具，在含有磨料的研拋液中，緊壓在工件被加工表面上，作高速旋轉(zhuǎn)-運(yùn)動。利用該技數(shù)可以達(dá)到Ra0.008μm的表面粗糙度，是拋光方法中蕞高的。光學(xué)鏡片模具常采用這種方法。
2)化學(xué)拋光
化學(xué)拋光-讓材料在化學(xué)介質(zhì)中表面微觀凸出的部分較凹部分優(yōu)先溶解，從而得到平滑面。這種方法的主要優(yōu)點(diǎn)是不需復(fù)雜設(shè)備，可以拋光形狀復(fù)雜的工件，可以同時拋光很多任務(wù)件，效率高�；瘜W(xué)拋光的核-心問題是拋光液的配制�；瘜W(xué)拋光得到的表面粗糙度一般為數(shù)10μm。
3)電解拋光
電解拋光基本原理與化學(xué)拋光相同，即靠選擇性的溶解材料表面微小凸出部分，使表面光滑。與化學(xué)拋光相比，可以消陰及反應(yīng)的影響，校果較好。電化學(xué)拋光過程分為兩步：
(1)宏觀整平 溶解產(chǎn)物向電解液中擴(kuò)散，材料表面幾何粗糙下降，Ra>1μm。
(2)微光平整 陽亟亟化，表面光亮度增加，Ra<1μm。
